Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors Année : 2017
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Dates et versions

hal-04422385 , version 1 (28-01-2024)

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Citer

A. Nasri, A. Boubaker, W. Khaldi, Bilel Hafsi, A. Kalboussi. Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2017, 51 (12), pp.1656-1660. ⟨10.1134/S1063782617120144⟩. ⟨hal-04422385⟩
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