Article Dans Une Revue
Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors
Année : 2017
Bilel HAFSI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04422385
Soumis le : dimanche 28 janvier 2024-18:39:18
Dernière modification le : mardi 30 janvier 2024-10:05:18
Citer
A. Nasri, A. Boubaker, W. Khaldi, Bilel Hafsi, A. Kalboussi. Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2017, 51 (12), pp.1656-1660. ⟨10.1134/S1063782617120144⟩. ⟨hal-04422385⟩
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