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Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Caractérisation dynamique de thyristors SiC avec gâchette amplificatrice

Résumé

Cette contribution présente des thyristors SiC expérimentaux, 1,2 kV, 10 A avec une structure de gâchette amplificatrice. A l’aide de simulations SPICE il est montré que le thyristor auxiliaire ne se déclenche pas en premier si la gâchette amplificatrice ne répond pas au critère de conception. En outre, des caractéristiques dynamiques de ces thyristors ont permis d’évaluer le temps de mise en conduction et le courant crête maximal pour des impulsions demi-sinusoïdales de 10 kHz et 50 Hz.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04401362 , version 1 (17-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04401362 , version 1

Citer

Sigo Scharnholz, Kamil Kotra, Ralf Hassdorf, Luong Viêt Phung, Dominique Planson. Caractérisation dynamique de thyristors SiC avec gâchette amplificatrice. 5ème Symposium de Génie Electrique (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. ⟨hal-04401362⟩
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