Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2009

Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique

Résumé

The SiC bipolar rectifier is a good alternative compared to the SiC Junction Barrier Schottky diode for applications requiring very high current capability for breakdown voltage higher than 3 kV. This paper reports on the influence of temperature on the electrical carrier lifetime of 3.3 kV 4H-SiC PiN diodes processed with a new generation of SiC material.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04368136 , version 1 (31-12-2023)

Identifiants

Citer

Nicolas Dheilly, Dominique Planson, Pierre Brosselard, Jawad Ul Hassan, Pascal Bevilacqua, et al.. Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique. Materials Science Forum, 2009, MATERIALS SCIENCE FORUM, 615-617, pp.703-706. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.703⟩. ⟨hal-04368136⟩
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