Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs

Khallil Karrame
Florent Gaillard
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1116992
Jean-Christophe Nallatamby
Raphaël Sommet
Nandita Dasgupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063824
Amitava Dasgupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1063825
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04351485 , version 1 (18-12-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04351485 , version 1

Citer

Sujan Sarkar, Khallil Karrame, Khade Ramdas Pandurang, Florent Gaillard, Jean-Christophe Nallatamby, et al.. Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs. XXII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, Dec 2023, Chennai (India), India. ⟨hal-04351485⟩
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