ICLs à 3,3 µm sur substrats de GaSb, GaAs et Si (001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2023

ICLs à 3,3 µm sur substrats de GaSb, GaAs et Si (001)

Gad Kombila
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1307343
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04282846 , version 1 (15-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04282846 , version 1

Citer

Maeva Fagot, Daniel Andres Diaz-Thomas, Audrey Gilbert, Michel Ramonda, Gad Kombila, et al.. ICLs à 3,3 µm sur substrats de GaSb, GaAs et Si (001). GDR MatEpi 2023, Jul 2023, Paris, France. 2023. ⟨hal-04282846⟩
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