First results on 1.2 kV SiC MOSFET body diode robustness tests - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2023

First results on 1.2 kV SiC MOSFET body diode robustness tests

Résumé

The paper proposes a methodology study to analyze the body diode robustness of SiC MOSFETs. Devices from different manufacturers are used to validate the analysis. Two types of stresses have been applied: a continuous conduction test (BDCT) or a pulsed conduction test, the classical half-sine surge current test applied to body diodes, BDSCT. BDCT applied current must be limited to avoid damages related to the packaging but BDSCT allows analyzing both assembly degradation and bipolar degradation.
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Avant la publication
mercredi 13 novembre 2024
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Dates et versions

hal-04282544 , version 1 (13-11-2023)

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Citer

Hassan Hamad, Dominique Tournier, Jean-Michel Reynes, Olivier Perrotin, David Trémouilles, et al.. First results on 1.2 kV SiC MOSFET body diode robustness tests. Microelectronics Reliability, 2023, 151, pp.115264. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115264⟩. ⟨hal-04282544⟩
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