Black silicon using room temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
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Dates et versions

hal-04256300 , version 1 (24-10-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04256300 , version 1

Citer

François Atteia, Judikaël Le Rouzo, Gérard Berginc, Ludovic Escoubas, Jean-Jacques Simon. Black silicon using room temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells. SPIE Photonic West, Feb 2019, San Francisco California, United States. ⟨hal-04256300⟩
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