Black silicon using room temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Black silicon using room temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells

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Sciences de l'ingénieur [physics]

Judikaël Le Rouzo  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04256300

Soumis le : mardi 24 octobre 2023-14:45:12

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04256300 , version 1 (24-10-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04256300 , version 1

Citer

François Atteia, Judikaël Le Rouzo, Gérard Berginc, Ludovic Escoubas, Jean-Jacques Simon. Black silicon using room temperature reactive ion etching (RT-RIE) for interdigitated back contact (IBC) silicon solar cells. SPIE Photonic West, Feb 2019, San Francisco California, United States. ⟨hal-04256300⟩

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