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Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Recrystallization of thin 4H-SiC films deposited by PVD techniques, a way for new emerging fields

Recristallisation de films minces de 4H-SiC réalisés par dépôts PVD, une voie vers de nouveaux champs d'application

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04171807 , version 1 (26-07-2023)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-04171807 , version 1

Citer

Enora Marion Vuillermet, Elise Usureau, François Jomard, Léa Le Joncour, Aurore Andrieux, et al.. Recrystallization of thin 4H-SiC films deposited by PVD techniques, a way for new emerging fields. C'Nano 2023: The Nanoscience meeting, Centre national de compétences en Nanosciences, Mar 2023, Poitiers, France. ⟨hal-04171807⟩
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