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Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Transistors en diamant à effet de champ pour l'électronique de puissance : comparaison de grilles (JFET) et amélioration de la tenue en tension (MOSFET)

Résumé

RESUME-Les transistors à effet de champ en diamant tirent bénéfice de ce matériau pour ajouter de nouveaux moyens de contrôle électro-optique, ou bien, repousser les limites de compromis tensions de claquage, résistance à l'état passant et température de jonction. Un nouvel état, actif sous illumination et passif dans l'obscurité, a été démontré expérimentalement sur des structures de type JFET (transistor à effet de champ via jonction). Pouvant servir de mémoire de par son caractère non-volatile, deux donneurs majoritaires de type n dans le diamant ont été étudiés de manière à obtenir les meilleures performances. En complément, le transistor MOSFET latéral à déplétion profonde a été démontré. Il présente, pour le moment, une tension de claquage de 175 V. Pour améliorer ce composant, une électrode de champ de type source field plate va être ajoutée et les simulations associées ont été réalisées. Elles montrent que le nouveau composant devrait avoir une tenue en tension entre 800 et 1000 V. Les propriétés de l'isolant utilisé ont été vérifiées expérimentalement, avec un champ critique mesuré de 10 MV/cm.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence : CC BY SA - Paternité - Partage selon les Conditions Initiales

Dates et versions

hal-04169088 , version 1 (23-07-2023)

Licence

Paternité - Partage selon les Conditions Initiales

Identifiants

  • HAL Id : hal-04169088 , version 1

Citer

Martin Kah, Damien Michez, Nicolas C. Rouger, Juliette Letellier, Khaled Driche, et al.. Transistors en diamant à effet de champ pour l'électronique de puissance : comparaison de grilles (JFET) et amélioration de la tenue en tension (MOSFET). Symposium de Génie Electrique (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. ⟨hal-04169088⟩
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