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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

SiC power devices operation from cryogenic to high temperature: investigation of various 1.2kV SiC power devices

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04169013 , version 1 (23-07-2023)

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Citer

T Chailloux, C Calvez, N Thierry-Jebaly, D. Tournier, Dominique Planson. SiC power devices operation from cryogenic to high temperature: investigation of various 1.2kV SiC power devices. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2013, Sep 2013, Miyazaki, Japan. pp.1122-1125, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1122⟩. ⟨hal-04169013⟩
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