Tungsten-doped VO2 films for large area modulation of THz waves - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Tungsten-doped VO2 films for large area modulation of THz waves

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Aurelian CRUNTEANU  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04168573

Soumis le : vendredi 21 juillet 2023-17:21:00

Dernière modification le : vendredi 11 octobre 2024-14:50:43

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04168573 , version 1 (21-07-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04168573 , version 1

Citer

Eduard-Nicolae Sirjita, A. Boulle, Richard Mayet, Jean-Christophe Orlianges, Aurelian Crunteanu. Tungsten-doped VO2 films for large area modulation of THz waves. 11th International Conference on Materials for Advanced Technologies -ICMAT 2023, 26th- 30th June 2023, Singapore, MRS Singapour, Jun 2023, Singapour, Singapore. ⟨hal-04168573⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNILIM CNRS SPCTS SPCTS-AXE3 XLIM IPAM INC-CNRS XLIM-RFEI IRCER IRCER-AXE3 HAL-PETACOM ANR SIGMA-LIM IMPEO
38 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More