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Communication Dans Un Congrès Année : 2023

CMOS gate driver for SiC power modules

Résumé

Cet article présente une approche innovante pour les gates-drivers, offrant de nouvelles solutions aux problèmes de courtcircuit couramment rencontrés par les transistors de puissance SiC MOSFET. Il présente un circuit intégré de commande de grille incorporant un capteur de courant de grille très rapide et précis pour la détection des court-circuits. Les résultats expérimentaux démontrent une détection rapide et fiable des court-circuits pour les modules de puissance en un délai de 430ns.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04132694 , version 1 (19-06-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04132694 , version 1

Citer

Anas El Boubkari, Nicolas Rouger, Frédéric Richardeau, Marc Cousineau, Pierre Calmes, et al.. CMOS gate driver for SiC power modules. Congrès annuel de l'Ecole Doctorale Génie Electrique, Electronique, Télécommunications et Santé : du Système au Nanosystème - ED 323 (GEET) - Université de Toulouse, Ecole Doctorale GEET, Jun 2023, Toulouse, France. https://adum.fr/as/ed/GEET/article.pl. ⟨hal-04132694⟩
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