Impact of design on electrical characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS diode - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Impact of design on electrical characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS diode

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Dates et versions

hal-04022951 , version 1 (15-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04022951 , version 1

Citer

Pierre Brosselard, F Chevalier, B Proux, N Thierry-Jebali, Pascal Bevilacqua, et al.. Impact of design on electrical characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS diode. International Silicon Carbide Hetero-Epitaxy HeteroSiC and Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics WASMPE, Jun 2013, Nice, France. ⟨hal-04022951⟩
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