Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2022
Eva Monroy : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03974981
Soumis le : lundi 6 février 2023-12:10:48
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:24
Citer
E. Catapano, M. Cassé, F. Gaillard, S. de Franceschi, Tristan Meunier, et al.. TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature. Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108319. ⟨10.1016/j.sse.2022.108319⟩. ⟨hal-03974981⟩
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