TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature

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hal-03974981 , version 1 (22-07-2024)

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E. Catapano, M. Cassé, F. Gaillard, S. de Franceschi, Tristan Meunier, et al.. TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature. Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108319. ⟨10.1016/j.sse.2022.108319⟩. ⟨hal-03974981⟩
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