TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature

E. Catapano; M. Cassé; F. Gaillard; S. de Franceschi; Tristan Meunier; M. Vinet; G. Ghibaudo

doi:10.1016/j.sse.2022.108319

Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2022

TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature

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E. Catapano

Fonction : Auteur
PersonId : 1223993
ORCID : 0000-0002-8925-3164

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

M. Cassé

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Gaillard

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

S. de Franceschi

Fonction : Auteur

Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité

Tristan Meunier

Fonction : Auteur
PersonId : 742176
IdHAL : tristan-meunier

Circuits électroniques quantiques Alpes

M. Vinet

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

G. Ghibaudo

Fonction : Auteur

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

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DOI : 10.1016/j.sse.2022.108319
PII : S0038-1101(22)00091-0

Citer

E. Catapano, M. Cassé, F. Gaillard, S. de Franceschi, Tristan Meunier, et al.. TCAD simulations of FDSOI devices down to deep cryogenic temperature. Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108319. ⟨10.1016/j.sse.2022.108319⟩. ⟨hal-03974981⟩

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