Using a two step plasma etching process for diamond power devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Using a two step plasma etching process for diamond power devices

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Energie électrique

Karine Pistre  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03966086

Soumis le : mardi 31 janvier 2023-16:30:17

Dernière modification le : vendredi 24 novembre 2023-17:08:13

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Dates et versions

hal-03966086 , version 1 (31-01-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03966086 , version 1

Citer

F. Thion, K. Isoird, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, Henri Schneider, et al.. Using a two step plasma etching process for diamond power devices. International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain. ⟨hal-03966086⟩

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