High Spatial Resolution Thermal Mapping of Volatile Switching in NbO x -Based Memristor Using In Situ Scanning Thermal Microscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ACS Applied Materials & Interfaces Année : 2022

High Spatial Resolution Thermal Mapping of Volatile Switching in NbO x -Based Memristor Using In Situ Scanning Thermal Microscopy

Sanjoy Kumar Nandi
Etienne Puyoo
Shimul Kanti Nath
David Albertini
  • Fonction : Auteur
Nicolas Baboux
  • Fonction : Auteur
Sujan Kumar Das
Thomas Ratcliff
  • Fonction : Auteur
Robert Elliman
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03962818 , version 1 (30-01-2023)

Identifiants

Citer

Sanjoy Kumar Nandi, Etienne Puyoo, Shimul Kanti Nath, David Albertini, Nicolas Baboux, et al.. High Spatial Resolution Thermal Mapping of Volatile Switching in NbO x -Based Memristor Using In Situ Scanning Thermal Microscopy. ACS Applied Materials & Interfaces, 2022, 14 (25), pp.29025-29031. ⟨10.1021/acsami.2c06870⟩. ⟨hal-03962818⟩
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