Communication Dans Un Congrès
Année : 2022
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03868597
Soumis le : mercredi 23 novembre 2022-20:45:37
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:03:17
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03868597 , version 1
Citer
T. Hanuš, T. M. Diallo, A. Ruediger, G. Patriarche, S. Fafard, et al.. Unfolding the role of defect engineering in graphene during Van der Waals epitaxy of semiconductors. European Material Research Society (EMRS), Sep 2022, Warsaw, Poland. ⟨hal-03868597⟩
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