Unfolding the role of defect engineering in graphene during Van der Waals epitaxy of semiconductors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03868597 , version 1 (23-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03868597 , version 1

Citer

T. Hanuš, T. M. Diallo, A. Ruediger, G. Patriarche, S. Fafard, et al.. Unfolding the role of defect engineering in graphene during Van der Waals epitaxy of semiconductors. European Material Research Society (EMRS), Sep 2022, Warsaw, Poland. ⟨hal-03868597⟩
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