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Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

Résumé

In this work, measurements from cathodo-luminescence (CL), micro-Raman spectroscopy and currentvoltage I(V) have been coupled to assess the effects of physical parameters such as threading dislocations and effective doping level homogeneity on the electrical performances of vertical GaN Schottky diodes.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03844585 , version 1 (08-11-2022)

Identifiants

Citer

Atse Julien Eric N’dohi, Camille Sonneville, Soufiane Saidi, Thi Huong Ngo, P. de Mierry, et al.. Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes. 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩. ⟨hal-03844585⟩
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