Low-Frequency Noise Assessment of Silicon Passivated Ge pMOSFETs With TiN/TaN/ $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Stack - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2007

Low-Frequency Noise Assessment of Silicon Passivated Ge pMOSFETs With TiN/TaN/ $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Stack

W. Guo
  • Fonction : Auteur
G. Nicholas
  • Fonction : Auteur
B. Kaczer
  • Fonction : Auteur
R. Todi
  • Fonction : Auteur
B. de Jaeger
  • Fonction : Auteur
C. Claeys
  • Fonction : Auteur
A. Mercha
  • Fonction : Auteur
E. Simoen
  • Fonction : Auteur
B. Cretu
J.-M. Routoure
  • Fonction : Auteur
R. Carin
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03784663 , version 1 (23-09-2022)

Identifiants

Citer

W. Guo, G. Nicholas, B. Kaczer, R. Todi, B. de Jaeger, et al.. Low-Frequency Noise Assessment of Silicon Passivated Ge pMOSFETs With TiN/TaN/ $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Stack. IEEE Electron Device Letters, 2007, 28 (4), pp.288-291. ⟨10.1109/LED.2007.891797⟩. ⟨hal-03784663⟩
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