Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2022
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Soumis le : mercredi 3 août 2022-15:32:26
Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48
Citer
P. Vigneshwara Raja, Emmanuel Dupouy, Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Estimation of Trapping Induced Dynamic Reduction in 2DEG Density of GaN-Based HEMTs by Gate-Lag DCT Technique. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, pp.1-6. ⟨10.1109/TED.2022.3193650⟩. ⟨hal-03745001⟩
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