Estimation of Trapping Induced Dynamic Reduction in 2DEG Density of GaN-Based HEMTs by Gate-Lag DCT Technique - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2022

Estimation of Trapping Induced Dynamic Reduction in 2DEG Density of GaN-Based HEMTs by Gate-Lag DCT Technique

P. Vigneshwara Raja
Emmanuel Dupouy
  • Fonction : Auteur
Mohamed Bouslama
Raphaël Sommet

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03745001 , version 1 (03-08-2022)

Identifiants

Citer

P. Vigneshwara Raja, Emmanuel Dupouy, Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Estimation of Trapping Induced Dynamic Reduction in 2DEG Density of GaN-Based HEMTs by Gate-Lag DCT Technique. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, pp.1-6. ⟨10.1109/TED.2022.3193650⟩. ⟨hal-03745001⟩
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