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Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Ion Implantation Point Defect Engineering in SiC for Photonic Quantum Technology

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03702808 , version 1 (23-06-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03702808 , version 1

Citer

Mathilde Brocheton, Mihai Lazar. Ion Implantation Point Defect Engineering in SiC for Photonic Quantum Technology. 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020-2021 ), Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03702808⟩

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