Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Ion Implantation Point Defect Engineering in SiC for Photonic Quantum Technology

ecscrm_2020_mathilde_final.pdf (514.57 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence

Dates et versions

hal-03702808 , version 1 (23-06-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03702808 , version 1

Citer

Mathilde Brocheton, Mihai Lazar. Ion Implantation Point Defect Engineering in SiC for Photonic Quantum Technology. 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020-2021 ), Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03702808⟩
128 Consultations
68 Téléchargements

Partager

  • More