Transadmittance Efficiency Under NQS Operation in Asymmetric Double Gate FDSOI MOSFET - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2019

Transadmittance Efficiency Under NQS Operation in Asymmetric Double Gate FDSOI MOSFET

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hal-03513645 , version 1 (05-01-2022)

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Citer

Salim El Ghouli, Jean-Michel Sallese, André Juge, Patrick Scheer, Christophe Lallement. Transadmittance Efficiency Under NQS Operation in Asymmetric Double Gate FDSOI MOSFET. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (1), ⟨10.1109/TED.2018.2882539⟩. ⟨hal-03513645⟩
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