Controlling the interfacial reactions and environment of rare-earth ions in thin oxide films towards wafer-scalable quantum technologies - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Advances Année : 2021

Controlling the interfacial reactions and environment of rare-earth ions in thin oxide films towards wafer-scalable quantum technologies

Résumé

Encapsulating the active layer containing rare-earth ions between undoped thick layers allows limiting interfacial reactions during thermal annealing and leads to narrower homogeneous and inhomogeneous linewidths.
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Origine : Publication financée par une institution

Dates et versions

hal-03431831 , version 1 (16-11-2021)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

Identifiants

Citer

N. Harada, A. Tallaire, D. Serrano, A. Seyeux, P. Marcus, et al.. Controlling the interfacial reactions and environment of rare-earth ions in thin oxide films towards wafer-scalable quantum technologies. Materials Advances, 2021, ⟨10.1039/D1MA00753J⟩. ⟨hal-03431831⟩
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