Key features for high efficiency and highly robust mmW GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Dates et versions

hal-03298880 , version 1 (24-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03298880 , version 1

Citer

Romain Pécheux, Riad Kabouche, Tommy Defais, Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, et al.. Key features for high efficiency and highly robust mmW GaN HEMTs: [Invited]. XIX International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, IWPSD 2017, Dec 2017, Delhi, India. ⟨hal-03298880⟩
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