Key features for high efficiency and highly robust mmW GaN HEMTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Key features for high efficiency and highly robust mmW GaN HEMTs

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Soumis le : samedi 24 juillet 2021-20:35:50

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-03298880 , version 1 (24-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03298880 , version 1

Citer

Romain Pécheux, Riad Kabouche, Tommy Defais, Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, et al.. Key features for high efficiency and highly robust mmW GaN HEMTs. XIX International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, IWPSD 2017, Dec 2017, Delhi, India. ⟨hal-03298880⟩

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