High voltage GaN-on-silicon with low-trapping up to 1200 V - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

High voltage GaN-on-silicon with low-trapping up to 1200 V

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Dates et versions

hal-03288133 , version 1 (16-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03288133 , version 1

Citer

Alaleh Tajalli, Idriss Abid, Riad Kabouche, Malek Zegaoui, Matteo Meneghini, et al.. High voltage GaN-on-silicon with low-trapping up to 1200 V. International Workshop on Nitride Semiconductors, Nov 2018, Kanazawa, Japan. ⟨hal-03288133⟩

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