High voltage GaN-on-silicon with low-trapping up to 1200 V
Domaines
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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| Licence |
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https://hal.science/hal-03288133
Soumis le : vendredi 16 juillet 2021-10:43:35
Dernière modification le : lundi 23 mars 2026-09:10:02