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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide

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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03281290 , version 1 (08-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03281290 , version 1

Citer

F Medjdoub, J.-F Carlin, M Alomari, M Gonschorek, E Feltin, et al.. InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide. Device Research Conference, Jun 2008, Santa barbara, United States. ⟨hal-03281290⟩
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