High-resolution cryogenic capacitance measurements of FD-SOI structures using a capacitance bridge - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

High-resolution cryogenic capacitance measurements of FD-SOI structures using a capacitance bridge

C Rohrbacher
  • Fonction : Auteur
S Rochette
  • Fonction : Auteur
Rh Foote
  • Fonction : Auteur
A Bédard-Vallée
  • Fonction : Auteur
P. Galy
  • Fonction : Auteur
F. Arnaud
T. Bedecarrats
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03178725 , version 1 (24-03-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03178725 , version 1

Citer

C Rohrbacher, S Rochette, Rh Foote, A Bédard-Vallée, P. Galy, et al.. High-resolution cryogenic capacitance measurements of FD-SOI structures using a capacitance bridge. Silicon Quantum Electronics Workshop, Oct 2019, San Sabastian, Spain. ⟨hal-03178725⟩
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