High-resolution cryogenic capacitance measurements of FD-SOI structures using a capacitance bridge - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

High-resolution cryogenic capacitance measurements of FD-SOI structures using a capacitance bridge

C Rohrbacher
  • Fonction : Auteur
S Rochette
  • Fonction : Auteur
Rh Foote
  • Fonction : Auteur
A Bédard-Vallée
  • Fonction : Auteur
P. Galy
  • Fonction : Auteur
F. Arnaud
T. Bedecarrats
  • Fonction : Auteur
Dominique Drouin
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
Michel Pioro-Ladriere
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03178725

Soumis le : mercredi 24 mars 2021-03:39:46

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:38:53

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Dates et versions

hal-03178725 , version 1 (24-03-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03178725 , version 1

Citer

C Rohrbacher, S Rochette, Rh Foote, A Bédard-Vallée, P. Galy, et al.. High-resolution cryogenic capacitance measurements of FD-SOI structures using a capacitance bridge. Silicon Quantum Electronics Workshop, Oct 2019, San Sabastian, Spain. ⟨hal-03178725⟩

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