High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2017

High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs

Ezgi Dogmus
  • Fonction : Auteur
Riad Kabouche
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1084918
Astrid Linge
  • Fonction : Auteur
Etienne Okada
Malek Zegaoui

Dates et versions

hal-03028465 , version 1 (27-11-2020)

Identifiants

Citer

Ezgi Dogmus, Riad Kabouche, Astrid Linge, Etienne Okada, Malek Zegaoui, et al.. High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs. physica status solidi (a), 2017, 214 (8), pp.1600797. ⟨10.1002/pssa.201600797⟩. ⟨hal-03028465⟩
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