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Physica Status Solidi A (applications and materials science)
Année : 2017
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https://hal.science/hal-03028465
Soumis le : vendredi 27 novembre 2020-15:52:51
Dernière modification le : mercredi 16 octobre 2024-03:22:05
Citer
Ezgi Dogmus, Riad Kabouche, Astrid Linge, Etienne Okada, Malek Zegaoui, et al.. High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2017, 214 (8), pp.1600797. ⟨10.1002/pssa.201600797⟩. ⟨hal-03028465⟩
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