Les composants de puissance à base de GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques fonctionnant à hautes fréquences. Les principales propriétés de cette filière technologique conduisent à une réduction de la taille, du poids et du volume des convertisseurs d'énergie. La conception de ces convertisseurs hautes fréquences (HF) repose sur des simulations nécessitant des modèles de composants actifs très précis. Afin d'obtenir ces modèles, une phase de caractérisation est nécessaire. Ce travail présente une méthode de caractérisation des transistors de puissance GaN basée sur des mesures de paramètres S à l'aide de dispositifs d'adaptation sur circuit imprimé ainsi que sur des mesures en régime pulsé.