CSME: A novel cycle-sensing margin enhancement scheme for high yield STT-MRAM - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2020

CSME: A novel cycle-sensing margin enhancement scheme for high yield STT-MRAM

H. Cai
  • Fonction : Auteur
M. Liu
  • Fonction : Auteur
Y. Zhou
B. Liu
  • Fonction : Auteur
Lirida Naviner
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hal-02941338 , version 1 (21-11-2022)

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

H. Cai, M. Liu, Y. Zhou, B. Liu, Lirida Naviner. CSME: A novel cycle-sensing margin enhancement scheme for high yield STT-MRAM. Microelectronics Reliability, 2020, pp.113732. ⟨10.1016/j.microrel.2020.113732⟩. ⟨hal-02941338⟩
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