Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Nanotechnology
Année : 2017
Marc Ternisien : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02939353
Soumis le : mardi 15 septembre 2020-15:16:52
Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:21
Citer
Benjamin Ramos, Manuel Lopes, David Buso, Marc Ternisien. Performance Enhancement in N-Channel Organic Field-Effect Transistors Using Ferroelectric Material as a Gate Dielectric. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2017, 16 (5), pp.773-777. ⟨10.1109/TNANO.2017.2683201⟩. ⟨hal-02939353⟩
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