Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2017

Performance Enhancement in N-Channel Organic Field-Effect Transistors Using Ferroelectric Material as a Gate Dielectric

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Dates et versions

hal-02939353 , version 1 (15-09-2020)

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Citer

Benjamin Ramos, Manuel Lopes, David Buso, Marc Ternisien. Performance Enhancement in N-Channel Organic Field-Effect Transistors Using Ferroelectric Material as a Gate Dielectric. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2017, 16 (5), pp.773-777. ⟨10.1109/TNANO.2017.2683201⟩. ⟨hal-02939353⟩
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