‘Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs’ - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2015

‘Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs’

S. Petitdidier
  • Fonction : Auteur
F. Berthet
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
P. Mary
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936081 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936081 , version 1

Citer

S. Petitdidier, F. Berthet, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, et al.. ‘Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs’. Microelectronics Reliability, 2015. ⟨hal-02936081⟩
14 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More