‘Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2015

‘Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs’

S. Petitdidier
  • Fonction : Auteur
F. Berthet
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
P. Mary
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
B. Boudart
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936081

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:50:04

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-02936081 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936081 , version 1

Citer

S. Petitdidier, F. Berthet, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, et al.. ‘Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs’. Microelectronics Reliability, 2015. ⟨hal-02936081⟩

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