‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’ - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2011

‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936069 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936069 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, et al.. ‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’. Microelectronics Reliability, 2011. ⟨hal-02936069⟩
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