Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2011
Yannick Guhel : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02936069
Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:26:01
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02936069 , version 1
Citer
F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, et al.. ‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’. Microelectronics Reliability, 2011. ⟨hal-02936069⟩
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