‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2011

‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936069

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:26:01

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-02936069 , version 1

Citer

F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, et al.. ‘Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using the Raman spectroscopy’. Microelectronics Reliability, 2011. ⟨hal-02936069⟩

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