Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2010
Yannick Guhel : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02936065
Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:16:10
Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02936065 , version 1
Citer
Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, N. Vellas, J.L. Trolet, et al.. ‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’. Electronics Letters, 2010. ⟨hal-02936065⟩
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