‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’ - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2010

‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’

B. Boudart
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936065 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936065 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, N. Vellas, J.L. Trolet, et al.. ‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’. Electronics Letters, 2010. ⟨hal-02936065⟩
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