‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2010

‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’

Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
M. Piccione
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Yannick Guhel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02936065

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:16:10

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-02936065 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936065 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, N. Vellas, J.L. Trolet, et al.. ‘DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutrons radiation dose’. Electronics Letters, 2010. ⟨hal-02936065⟩

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