Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2020
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https://hal.science/hal-02560807
Soumis le : samedi 2 mai 2020-16:35:56
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:10:05
Citer
P. Vigneshwara Raja, Mohamed Bouslama, Sujan Sarkar, Khade Ramdas Pandurang, Jean-Christophe Nallatamby, et al.. Deep-Level Traps in AlGaN/GaN- and AlInN/GaN-Based HEMTs With Different Buffer Doping Technologies. IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, IEEE Transactions on Electron Devices, 67 (6), pp.2304-2310. ⟨10.1109/TED.2020.2988439⟩. ⟨hal-02560807⟩
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