Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2020
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hal-02560807 , version 1 (02-05-2020)

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Citer

P. Vigneshwara Raja, Mohamed Bouslama, Sujan Sarkar, Khade Ramdas Pandurang, Jean-Christophe Nallatamby, et al.. Deep-Level Traps in AlGaN/GaN- and AlInN/GaN-Based HEMTs With Different Buffer Doping Technologies. IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, IEEE Transactions on Electron Devices, 67 (6), pp.2304-2310. ⟨10.1109/TED.2020.2988439⟩. ⟨hal-02560807⟩
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