Investigation of trap induced power drift on 0.15µm GaN technology after aging tests
Domaines
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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https://hal.science/hal-02462713
Soumis le : mardi 21 décembre 2021-12:29:40
Dernière modification le : lundi 17 mars 2025-19:54:13
Archivage à long terme le : mercredi 23 mars 2022-10:17:32