Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Jean-Christophe Nallatamby : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02458642
Soumis le : mardi 28 janvier 2020-19:13:45
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:10:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02458642 , version 1
Citer
Vigneshwara Raja Paramasivan, Mohamed Bouslama, S. Sarkar, K.R. Pandurang, K. Narang, et al.. Characterization of Deep-Level Traps in AlInN/GaN HEMTs by I-DLTS and Output Admittance Dispersion. XXth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD2019), Dec 2019, Kolkata, India. ⟨hal-02458642⟩
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