Si/SiGe superlattice I/O finFETs in a vertically-stacked Gate-All-Around horizontal Nanowire Technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Si/SiGe superlattice I/O finFETs in a vertically-stacked Gate-All-Around horizontal Nanowire Technology

G. Hellings
  • Fonction : Auteur
H. Mertens
  • Fonction : Auteur
A. Subirats
  • Fonction : Auteur
E. Simoen
  • Fonction : Auteur
T. Schram
  • Fonction : Auteur
L.-A. Ragnarsson
  • Fonction : Auteur
M. Simicic
  • Fonction : Auteur
S.-H. Chen
  • Fonction : Auteur
B. Parvais
  • Fonction : Auteur
B Cretu
J. Machillot
  • Fonction : Auteur
V. Peña
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 958537
A. Mocuta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1050861
D. Linten
  • Fonction : Auteur
N. Horiguchi
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02438750 , version 1 (14-01-2020)

Identifiants

Citer

G. Hellings, H. Mertens, A. Subirats, E. Simoen, T. Schram, et al.. Si/SiGe superlattice I/O finFETs in a vertically-stacked Gate-All-Around horizontal Nanowire Technology. 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, United States. pp.85-86, ⟨10.1109/VLSIT.2018.8510654⟩. ⟨hal-02438750⟩
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