Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2018
Bogdan Cretu : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02438730
Soumis le : mardi 14 janvier 2020-12:26:40
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Citer
D. Boudier, B Cretu, E. Simoen, A. Veloso, N. Collaert. Detailed characterisation of Si Gate-All-Around Nanowire MOSFETs at cryogenic temperatures. Solid-State Electronics, 2018, 143, pp.27-32. ⟨10.1016/j.sse.2018.02.015⟩. ⟨hal-02438730⟩
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